晶体的负载电容选择及原理

图1 晶体电路

首先根据晶体的要求可知：负载电容的值要求为18pF;

根据公式：

图中: CL为 负载电容；Cstray: 寄生电容一般为3-7pF;

另外：C1和C2的ESR需要尽可能的小，这样晶体起振的速度快。

电容的值增大，对应晶体振荡频率减小。

二、 PCB布局布线

 负载电容尽可能的离晶体近（<90mils），且在同一层;

 单端走线阻抗50欧姆；平行走线等长;

 晶体到芯片时钟输入口<750mils;

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